參數(shù)資料
型號: BFG31
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: PNP 5 GHz wideband transistor
封裝: BFG31<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù): 1/9頁
文件大?。?/td> 209K
代理商: BFG31
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of November 1992
1995 Sep 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BFG31
PNP 5 GHz wideband transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG325W NPN 14 GHz wideband transistor
BFG325W NPN 14 GHz wideband transistor
BFG325W NPN 14 GHz wideband transistor
BFG325W NPN 14 GHz wideband transistor
BFG325 NPN 14 GHz wideband transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFG31,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP 10V 100mA 14GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG310 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor
BFG310/XR T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG310/XR,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG310W 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor