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參數(shù)資料
| 型號： | BFG325W |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN 14 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG325W/XR<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 1/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 173K |
| 代理商： | BFG325W |
1. Product profile
1.1 General description
NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.
1.2 Features and benefits
High power gain
Low noise figure
High transition frequency
Gold metallization ensures excellent reliability
1.3 Applications
Intended for Radio Frequency (RF) front end applications in the GHz range, such as:
analog and digital cellular telephones
cordless telephones (Cordless Telephone (CT), Personal Communication
Network (PCN), Digital Enhanced Cordless Telecommunications (DECT), etc.)
radar detectors
pagers
Satellite Antenna TeleVision (SATV) tuners
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
I
C
collector current (DC)
P
tot
total power dissipation
h
FE
DC current gain
BFG325W/XR
NPN 14 GHz wideband transistor
Rev. 2 — 15 September 2011
Product data sheet
CPK
Quick reference data
Conditions
open emitter
open base
Min
-
-
-
Typ
-
-
-
-
100
Max
15
6
35
210
200
Unit
V
V
mA
mW
T
sp
90
C
I
C
= 15 mA; V
CE
= 3 V;
T
j
= 25
C
V
CB
= 5 V; f = 1 MHz;
emitter grounded
I
C
= 15 mA; V
CE
= 3 V;
f = 1 GHz; T
amb
= 25
C
[1]
-
60
C
CBS
collector-base
capacitance
transition frequency
-
0.27
0.4
pF
f
T
-
14
-
GHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG325W | NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG325 | NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG325 | NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG325 | NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG325 | NPN 14 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG325W/XR | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BFG325W/XR NPN 14GHz wideband transistor |
| BFG325W/XR T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG325W/XR,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG325W-XR | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG325W-XR-1 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor |
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