參數(shù)資料
型號(hào)： BFG21W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： UHF power transistor
封裝： BFG21W<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大小： 217K
代理商： BFG21W
1998 Jul 06
3
NXP Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BFG21W
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the emitter pins.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the emitter pins.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
15
4.5
1
500
600
+150
150
V
V
V
mA
mW
C
C
T
s
60
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to
soldering point
T
s
60
C; P
tot
= 600 mW; note 1
150
K/W
Fig.2 Transient thermal resistance as a function of pulse time; typical values.
At temperature stabilization solder point has been reached.
handbook, full pagewidth
3
10
2
10
1
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
MGM219
Rth
(K/W)
tp (s)
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
δ
=
1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
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