參數(shù)資料
型號： BFG21W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： UHF power transistor
封裝： BFG21W<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 217K
代理商： BFG21W
1998 Jul 06
2
NXP Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BFG21W
FEATURES
High power gain
High efficiency
1.9 GHz operating area
Linear and non-linear operation.
APPLICATIONS
Common emitter class-AB output stage in hand held
radio equipment at 1.9 GHz such as DECT, PHS, etc.
Driver for DCS1800, 1900.
DESCRIPTION
NPN double polysilicon bipolar power transistor with
buried layer for low voltage medium power applications
encapsulated in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343R
package.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1, 3
2
4
emitter
base
collector
Fig.1 Simplified outline SOT343R.
Marking code:
P1.
handbook, halfpage
Top view
MSB842
2
1
4
3
QUICK REFERENCE DATA
RF performance at T
s
60
C in a common emitter test circuit.
MODE OF OPERATION
f
(GHz)
V
CE
(V)
P
L
(dBm)
G
p
(dB)
10
C
(%)
Pulsed class-AB;
< 1 : 2; t
p
= 5 ms
1.9
3.6
26
typ.55
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