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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG10X |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | UHF power transistor |
| 中文描述： | 超高頻大功率晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 58K |
| 代理商： | BFG10X |
1995 Sep 22
3
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BFG10W/X
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C (unless otherwise specified).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CES
h
FE
C
c
C
re
collector-base breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage
emitter-base breakdown voltage
collector cut-off current
DC current gain
collector capacitance
feedback capacitance
open emitter; I
C
= 0.1 mA
open base; I
C
= 5 mA
open collector; I
E
= 0.1 mA
V
CE
= 6 V; V
BE
= 0
I
C
= 50 mA; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 6 V; f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CE
= 6 V; f = 1 MHz
20
10
2.5
25
100
3
2
V
V
V
μ
A
pF
pF
Fig.2 Transient thermal impedance from junction to soldering point as a function of pulse time; typical values.
handbook, full pagewidth
MBG431
10
5
10
6
10
4
10
3
10
2
10
1
1
3
10
2
10
1
Zth j-a
(K/W)
tp (s)
δ
= 1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
tp
T
P
t
tp
T
δ
=
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG91 | NPN 6 GHZ WIDEBAND TRANSISTOR |
| BFG91A | NPN 6 GHZ WIDEBAND TRANSISTOR |
| BFQ135 | CONNECTOR |
| BFQ136 | NPN 4 GHz wideband transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG10X_95 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG11 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz RF power transistor |
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| BFG11/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz RF power transistor |
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