參數(shù)資料
型號(hào)： BF556C
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel FET
封裝： BF556C<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁(yè)數(shù)： 3/14頁(yè)
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代理商： BF556C
BF556A_BF556B_BF556C
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 15 September 2011
3 of 14
NXP Semiconductors
BF556A; BF556B; BF556C
N-channel silicon junction field-effect transistors
5. Limiting values
Table 5.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
GSO
gate-source voltage
V
GDO
gate-drain voltage (DC)
I
G
forward gate current (DC)
P
tot
total power dissipation
T
stg
storage temperature
T
j
junction temperature
[1]
Device mounted on an FR4 printed-circuit board, maximum lead length 4 mm; mounting pad for the drain
lead 10 mm
2
.
6. Thermal characteristics
Table 6.
Symbol
R
th(j-a)
[1]
Device mounted on an FR4 printed-circuit board, maximum lead length 4 mm; mounting pad for the drain
lead 10 mm
2
.
Limiting values
Conditions
Min
-
-
-
-
Max
30
30
30
10
250
+150
150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
open drain
open source
T
amb
25
C
[1]
-
65
-
Fig 1.
Power derating curve.
T
amb
(
°
C)
0
150
100
50
mrc166
100
200
300
P
tot
(mW)
0
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction
to ambient
Conditions
Typ
Unit
K/W
[1]
500
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF861A N-channel FET
BF861B N-channel FET
BF861C N-channel FET
BF862 N-channel junction FET
BF904A N-channel dual-gate MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF556C T/R 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
BF556C,215 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
BF562 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:npn silicon rf transistor
BF568 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR
BF569 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon RF Transistor (fOR OSCILLATORS, MIXERS AND SELF-OSCILLATING MIXER STAGES IN uhf tv TUNERS)
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