參數(shù)資料
型號： BF556C
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel FET
封裝： BF556C<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 10/14頁
文件大小： 118K
代理商： BF556C
BF556A_BF556B_BF556C
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 15 September 2011
10 of 14
NXP Semiconductors
BF556A; BF556B; BF556C
N-channel silicon junction field-effect transistors
9. Package outline
Fig 20. Package outline.
UNIT
A
1
max.
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
Q
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
04-11-04
06-03-16
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.1
0.48
0.38
0.15
0.09
3.0
2.8
1.4
1.2
0.95
e
1.9
2.5
2.1
0.55
0.45
0.1
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
SOT23
TO-236AB
bp
D
e1
e
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
w
M
v
M
A
B
A
B
0
1
2 mm
scale
A
1.1
0.9
c
X
1
2
3
Plastic surface-mounted package; 3 leads
SOT23
相關PDF資料
PDF描述
BF861A N-channel FET
BF861B N-channel FET
BF861C N-channel FET
BF862 N-channel junction FET
BF904A N-channel dual-gate MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BF556C T/R 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
BF556C,215 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
BF562 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:npn silicon rf transistor
BF568 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR
BF569 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon RF Transistor (fOR OSCILLATORS, MIXERS AND SELF-OSCILLATING MIXER STAGES IN uhf tv TUNERS)
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