參數(shù)資料
型號(hào)： BF556C
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel FET
封裝： BF556C<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁(yè)數(shù)： 1/14頁(yè)
文件大?。?/td> 118K
代理商： BF556C
1. Product profile
1.1 General description
N-channel symmetrical silicon junction field-effect transistors in a SOT23 package.
1.2 Features and benefits
Low leakage level (typ. 500 fA)
High gain
Low cut-off voltage.
1.3 Applications
Impedance converters in e.g. electret microphones and infrared detectors
VHF amplifiers in oscillators and mixers.
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
V
DS
BF556A; BF556B; BF556C
N-channel silicon junction field-effect transistors
Rev. 4 — 15 September 2011
Product data sheet
ST3
CAUTION
This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken
during transport and handling.
Quick reference data
Parameter
drain-source
voltage (DC)
gate-source cut-off
voltage
drain current
Conditions
Min
-
Typ
-
Max
30
Unit
V
V
GSoff
I
D
= 200
A;
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 15 V
BF556A
BF556B
BF556C
T
amb
25
C
0.5
-
7.5
V
I
DSS
3
6
11
-
-
-
-
-
7
13
18
250
mA
mA
mA
mW
P
tot
total power
dissipation
forward transfer
admittance
y
fs
V
GS
= 0 V; V
DS
= 15 V
4.5
-
-
mS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF861A N-channel FET
BF861B N-channel FET
BF861C N-channel FET
BF862 N-channel junction FET
BF904A N-channel dual-gate MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BF556C,215 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
BF562 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:npn silicon rf transistor
BF568 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR
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