參數(shù)資料
型號(hào)： BF1218
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
中文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： MICRO MINIATURE, PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/23頁(yè)
文件大?。?/td> 672K
代理商： BF1218
BF1218_1
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Product data sheet
Rev. 01 — 14 April 2010
3 of 23
NXP Semiconductors
BF1218
Dual N-channel dual gate MOSFET
3. Ordering information
Table 3.
Type number
4. Marking
Table 4.
Type number
BF1218
5. Limiting values
Table 5.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Per MOSFET
V
DS
drain-source voltage
I
D
drain current
I
G1
gate1 current
I
G2
gate2 current
P
tot
total power dissipation
T
stg
storage temperature
T
j
junction temperature
[1]
T
sp
is the temperature at the soldering point of the source lead.
Ordering information
Package
Name
-
Description
plastic surface-mounted package; 6 leads
Version
SOT363
BF1218
Marking codes
Marking code
M7
Limiting values
Conditions
Min
Max
Unit
DC
DC
-
-
6
30
10
10
180
+150
150
V
mA
-
-
mA
mA
mW
C
C
T
sp
109
C
[1]
-
65
-
Fig 1.
Power derating curve
T
sp
(C)
0
200
150
50
100
001aac193
100
150
50
200
250
P
tot
(mW)
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF245A N-channel FET
BF245B N-channel FET
BF245C N-channel FET
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF1218,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF-1218-31SV06-Y70 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk
BF-1218-31SV-Y103 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk
BF-1222-19SV-Y70 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk
BF1225 功能描述:EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 EMI/RFI Suppressor Splt Fer Rnd Cbl Snp RoHS:否 制造商:Fair-Rite 產(chǎn)品:Ferrite Cores 阻抗:365 Ohms 容差: 最大直流電流: 最大直流電阻: 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 封裝 / 箱體: 端接類(lèi)型:SMD/SMT
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