參數(shù)資料
型號： BF1214
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1214<SOT363 (TSSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;BF1214/L<SOT363 (TSSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-fr
文件頁數(shù)： 11/18頁
文件大小： 211K
代理商： BF1214
BF1214_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 30 October 2007
11 of 18
NXP Semiconductors
BF1214
Dual N-channel dual gate MOSFET
8.2.1
Scattering parameters for amplifier A
8.2.2
Noise data for amplifier A
Table 9.
V
DS(A)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(A)
= 18 mA; V
DS(B)
= 0 V; V
G1-S(B)
= 0 V; T
amb
= 25
°
C; typical values.
f (MHz)
s
11
s
21
Magnitude
(ratio)
(deg)
(ratio)
40
0.9877
3.07
3.07
100
0.9888
7.81
3.07
200
0.9852
15.61
3.04
300
0.9766
23.41
3.00
400
0.9643
31.14
2.95
500
0.9504
38.62
2.89
600
0.9339
45.96
2.82
700
0.9151
53.13
2.74
800
0.8960
60.18
2.66
900
0.8766
67.00
2.57
1000
0.8564
73.58
2.49
Scattering parameters for amplifier A
s
12
Magnitude
(ratio)
0.0006
0.0012
0.0022
0.0033
0.0042
0.0050
0.0056
0.0061
0.0064
0.0065
0.0066
s
22
Magnitude
(ratio)
0.9902
0.9918
0.9910
0.9896
0.9881
0.9859
0.9836
0.9813
0.9790
0.9769
0.9753
Angle
Magnitude
Angle
(deg)
176.73
171.67
163.23
154.91
146.63
138.57
130.61
122.79
115.17
107.66
100.35
Angle
(deg)
88.01
85.54
80.05
75.66
71.57
67.10
63.38
59.74
56.44
53.53
50.29
Angle
(deg)
1.00
2.74
5.50
8.22
10.93
13.61
16.28
18.96
21.60
24.20
26.88
Table 10.
V
DS(A)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(A)
= 18 mA; T
amb
= 25
°
C; typical values.
f (MHz)
NF
min
(dB)
Noise data for amplifier A
Γ
opt
(ratio)
0.76
0.71
r
n
(ratio)
(deg)
23.60
48.91
400
800
0.91
1.23
0.677
0.620
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BF1214,115 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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