參數(shù)資料
型號： BF1214
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1214<SOT363 (TSSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;BF1214/L<SOT363 (TSSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-fr
文件頁數(shù)： 10/18頁
文件大小： 211K
代理商： BF1214
BF1214_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 30 October 2007
10 of 18
NXP Semiconductors
BF1214
Dual N-channel dual gate MOSFET
V
DS(A)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; V
DS(B)
= 0 V;
I
D(A)
= 18 mA.
Fig 13. Amplifier A: input admittance as a function of
frequency; typical values
V
DS(A)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; V
DS(B)
= 0 V;
I
D(A)
= 18 mA.
Fig 14. Amplifier A: forward transfer admittance and
phase as a function of frequency; typical values
V
DS(A)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; V
DS(B)
= 0 V;
I
D(A)
= 18 mA.
Fig 15. Amplifier A: reverse transfer admittance and
phase as a function of frequency; typical values
V
DS(A)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; V
DS(B)
= 0 V;
I
D(A)
= 18 mA.
Fig 16. Amplifier A: output admittance as a function of
frequency; typical values
001aah004
f (MHz)
10
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
b
is
, g
is
(mS)
10
2
g
is
b
is
001aah005
f (MHz)
10
10
3
10
2
10
10
2
|y
fs
|
(mS)
fs
(deg)
1
10
10
2
1
|y
fs
|
fs
001aah006
10
2
10
10
3
|y
rs
|
(
μ
S)
1
10
2
10
10
3
1
f (MHz)
10
10
3
10
2
rs
rs
(deg)
|y
rs
|
001aah007
1
10
1
10
b
os
, g
os
(mS)
10
2
f (MHz)
10
10
3
10
2
b
os
g
os
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1214 Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1215 Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1216 Dual N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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