參數(shù)資料
型號(hào)： BF1211
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1211<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;
文件頁(yè)數(shù)： 9/16頁(yè)
文件大小： 415K
代理商： BF1211
2003 Dec 16
9
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1211; BF1211R; BF1211WR
handbook, halfpage
2
10
1
10
1
MDB841
10
10
2
10
3
yis
(mS)
f (MHz)
gis
bis
Fig.17 Input admittance as a function of frequency;
typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
MDB842
10
10
2
10
3
3
10
2
10
1
|
yrs
|
(
μ
S)
f (MHz)
10
3
10
2
10
1
rs
(deg)
|
yrs
|
rs
Fig.18 Reverse transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
2
10
1
MDB843
10
f (MHz)
10
2
10
3
|
yfs
|
(mS)
10
2
10
1
fs
(deg)
|
yfs
|
fs
Fig.19 Forward transfer admittance and phase as
functions of frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
MDB844
10
10
2
10
3
1
10
1
10
2
yos
(mS)
f (MHz)
bos
gos
Fig.20 Output admittance as a function of
frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
C.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1211 N-channel dual-gate MOSFET
BF1211R N-channel dual-gate MOSFET
BF1211WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1211R N-channel dual-gate MOSFET
BF1211WR N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
BF1211,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1211R 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1211R,215 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BF1211WR 功能描述:MOSFET TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BF1211WR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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