參數(shù)資料
型號(hào)： BF1211
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1211<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;
文件頁數(shù)： 5/16頁
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代理商： BF1211
2003 Dec 16
5
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1211; BF1211R; BF1211WR
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Common source; T
amb
= 25
C; V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V; I
D
= 15 mA; unless otherwise specified.
Note
1.
Measured in test circuit Fig.21.
SYMBOL
y
fs
C
ig1-ss
C
ig2-ss
C
oss
C
rss
F
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
forward transfer admittance
input capacitance at gate 1
input capacitance at gate 2
output capacitance
reverse transfer capacitance f = 1 MHz
noise figure
pulsed; T
j
= 25
C
f = 1 MHz
f = 1 MHz
f = 1 MHz
25
30
2.1
1.1
0.9
15
3.5
0.9
1.3
34
40
2.6
30
1.6
2
mS
pF
pF
pF
fF
dB
dB
dB
dB
f = 11 MHz; G
S
= 20 mS; B
S
= 0
f = 400 MHz; Y
S
= Y
S (opt)
f = 800 MHz; Y
S
= Y
S (opt)
f = 200 MHz; G
S
= 2 mS; B
S
= B
S (opt)
;
G
L
= 0.5 mS; B
L
= B
L (opt)
f = 400 MHz; G
S
= 2 mS; B
S
= B
S (opt)
;
G
L
= 1 mS; B
L
= B
L (opt)
f = 800 MHz; G
S
= 3.3 mS; B
S
= B
S (opt)
;
G
L
= 1 mS; B
L
= B
L (opt)
input level for k = 1%; f
w
= 50 MHz;
f
unw
= 60 MHz; note 1
at 0 dB AGC
at 10 dB AGC
at 40 dB AGC
G
tr
power gain
29
dB
24
dB
X
mod
cross-modulation
90
100
92
105
dB
V
dB
V
dB
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1211 N-channel dual-gate MOSFET
BF1211R N-channel dual-gate MOSFET
BF1211WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1211R N-channel dual-gate MOSFET
BF1211WR N-channel dual-gate MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF1211,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1211R 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1211R,215 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BF1211WR 功能描述:MOSFET TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BF1211WR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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