型號: | BF1211 |
廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分類: | MOSFETs |
英文描述: | N-channel dual-gate MOSFET |
封裝: | BF1211<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,; |
文件頁數(shù): | 13/16頁 |
文件大小: | 415K |
代理商: | BF1211 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
BF1211 | N-channel dual-gate MOSFET |
BF1211R | N-channel dual-gate MOSFET |
BF1211WR | N-channel dual-gate MOSFET |
BF1211R | N-channel dual-gate MOSFET |
BF1211WR | N-channel dual-gate MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
BF1211,215 | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
BF1211R | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
BF1211R,215 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
BF1211WR | 功能描述:MOSFET TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BF1211WR,115 | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |