參數(shù)資料
型號(hào)： BF1205
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1205<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;BF1205<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free
文件頁(yè)數(shù)： 19/25頁(yè)
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代理商： BF1205
2003 Sep 30
19
NXP Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FET
BF1205
handbook, full pagewidth
L2
2.2
μ
H
RG1
150 k
Ω
10 k
Ω
L1
2.2
μ
H
MDB813
d (a)
s
d (b)
g1 (a)
g2
g1 (b)
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
BF1205
4.7 nF
RL
50
Ω
50
Ω
RGEN
50
Ω
Vi
50
Ω
VDS(a)
5 V
VDS(b)
5 V
VGG
5 V
VAGC
Fig.30 Cross-modulation test set-up for amplifier b.
handbook, halfpage
MGX457
10
1
10
10
2
10
3
f (MHz)
10
1
yis
(mS)
gis
bis
Fig.31 Input admittance as a function of frequency;
typical values; amplifier b.
V
DS
(b) = 5 V; V
G2-S
= 4 V; V
DS
(a) = V
G1-S
(a) = 0 V;
I
D
(b)= 12 mA.
handbook, halfpage
MGX458
2
10
1
10
2
10
1
10
10
2
10
3
f (MHz)
|
yfs
|
(mS)
fs
(deg)
fs
|
yfs
|
Fig.32 Forward transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values;
amplifier b.
V
DS
(b) = 5 V; V
G2-S
= 4 V; V
DS
(a) = V
G1-S
(a) = 0 V;
I
D
(b) = 12 mA.
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BF1205,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1205,135 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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