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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BF1205 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封裝： | BF1205<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;BF1205<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 626K |
| 代理商： | BF1205 |
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2003 Sep 30
10
NXP Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FET
BF1205
handbook, halfpage
0
1
2
4
60
3
VAGC (V)
gain
reduction
(dB)
20
40
MGX438
Fig.11 Gain reduction as a function of AGC
voltage; typical values; amplifier a.
V
DS
(a) = V
DS
(b) = 5 V; V
G1-S
(b) = 0 V; f = 50 MHz; see Fig.13.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
gain reduction (dB)
60
12
4
0
8
20
40
MGX439
Fig.12 Drain current as a function of gain
reduction; typical values; amplifier a.
V
(a) = V
DS
(b) = 5 V; V
G1-S
(b) = 0 V; f = 50 MHz; T
amb
= 25
C;
see Fig.13.
handbook, full pagewidth
L2
2.2
μ
H
RG1
150 k
Ω
10 k
Ω
RGEN
50
Ω
Vi
L1
2.2
μ
H
MGX440
d (a)
s
d (b)
g1 (a)
g2
g1 (b)
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
BF1205
4.7 nF
RL
50
Ω
50
Ω
50
Ω
VDS(a)
5 V
VDS(b)
5 V
VGG
0 V
VAGC
Fig.13 Cross-modulation test set-up for amplifier a.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1206F | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1206F | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1206 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1206 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1207 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BF1205,115 | 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
| BF1205,135 | 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
| BF1205115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BF1205C | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOS-FET |
| BF1205C T/R | 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
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