參數(shù)資料
型號(hào)： BF1205
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1205<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;BF1205<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free
文件頁(yè)數(shù)： 12/25頁(yè)
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代理商： BF1205
2003 Sep 30
12
NXP Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FET
BF1205
Scattering parameters: amplifier a
V
DS
(a) = 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
(a) = 12 mA; V
DS
(b) = 0 V; V
G-1S
(b) = 0 V; T
amb
= 25
C
Noise data
V
DS
(a) = 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
(a) = 12 mA; V
DS
(b) = 0 V; V
G-1S
(b) = 0 V; T
amb
= 25
C
DYNAMIC CHARACTERISTICS AMPLIFIER b
Common source; T
amb
= 25
C; V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V; I
D
= 12 mA
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.70
7.37
14.64
21.85
28.95
35.98
42.90
49.77
56.61
63.18
69.84
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
1.38
2.83
5.62
8.40
11.15
13.88
16.65
19.35
22.08
24.87
27.63
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.997
0.995
0.988
0.976
0.963
0.944
0.924
0.900
0.874
0.846
0.817
3.15
3.15
3.12
3.09
3.04
2.99
2.94
2.87
2.81
2.73
2.65
175.99
171.92
163.99
156.06
148.32
140.52
132.88
125.30
117.79
110.29
102.91
0.00067
0.00132
0.00262
0.00373
0.00471
0.00557
0.00624
0.00669
0.00701
0.00705
0.00688
86.39
84.34
79.71
75.29
71.43
66.89
63.52
60.09
59.58
52.42
49.17
0.992
0.991
0.990
0.988
0.985
0.982
0.978
0.975
0.972
0.968
0.965
f
(MHz)
F MIN
(dB)
GAMMA OPT
Rn
(
)
(ratio)
(deg)
400
800
1.1
1.2
0.719
0.628
16.16
32.7
31.18
29.74
SYMBOL
y
fs
C
ig1-ss
C
ig2-ss
C
oss
C
rss
G
tr
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
forward transfer admittance
input capacitance at gate 1
input capacitance at gate 2
output capacitance
reverse transfer capacitance
power gain
T
j
= 25
C
f = 1 MHz
f = 1 MHz
f = 1 MHz
f = 1 MHz
f = 200 MHz; G
S
= 2 mS; B
S
= B
S(opt)
;
G
L
= 0.5 mS; B
L
= B
L(opt)
; note 1
f = 400 MHz; G
S
= 2 mS; B
S
= B
S(opt)
;
G
L
= 1 mS; B
L
= B
L(opt)
; note 1
f = 800 MHz; G
S
= 3.3 mS; B
S
= B
S(opt)
;
G
L
= 1 mS; B
L
= B
L(opt)
; note 1
f = 10.7 MHz; G
S
= 20 mS; B
S
= 0
f = 400 MHz; Y
S
= Y
S(opt)
f = 800 MHz; Y
S
= Y
S(opt)
26
30
31
2.0
3.3
0.85
20
34
40
2.5
38
mS
pF
pF
pF
fF
dB
27
31
35
dB
22
26
30
dB
NF
noise figure
4
1.3
1.4
1.9
2.1
dB
dB
dB
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PDF描述
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BF1205,135 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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