參數(shù)資料
型號： BF1100WR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1100WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;
文件頁數(shù)： 3/14頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： BF1100WR
1995 Apr 25
3
Philips Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FET
BF1100WR
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage
drain current
gate 1 current
gate 2 current
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
65
14
30
±
10
±
10
280
+150
+150
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
see Fig.2; up to T
amb
= 50
°
C; note 1
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
50
100
200
0
MLD180
150
200
100
Ptot
(mW)
amb
o
Fig.3
Forward transfer admittance as a function
of junction temperature; typical values.
50
0
50
150
40
0
MLD156
100
30
20
10
Yfs
(mS)
Tj
o
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PDF描述
BF1100WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1100 N-channel dual-gate MOSFET
BF1100 N-channel dual-gate MOSFET
BF1100R N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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