參數(shù)資料
型號： BF1100WR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1100WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;
文件頁數(shù)： 10/14頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： BF1100WR
1995 Apr 25
10
Philips Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FET
BF1100WR
Fig.22 Input admittance as a function of
frequency; typical values.
V
DS
= 12 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 10 mA; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
10
3
MLD185
10
2
10
10
1
2
10
1
yis
(mS)
f (MHz)
bis
gis
V
DS
= 12 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 10 mA; T
amb
= 25
°
C.
Fig.23 Reverse transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
10
3
MLD186
10
2
10
10
3
10
2
10
1
yrs
(
μ
S)
10
3
10
10
1
2
rs
f (MHz)
rs
yrs
(deg)
Fig.24 Forward transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
V
DS
= 12 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 10 mA; T
amb
= 25
°
C.
10
3
MLD187
10
2
10
1
10
2
10
1
10
10
2
yfs
(mS)
yfs
f (MHz)
fs
fs
(deg)
Fig.25 Output admittance as a function of
frequency; typical values.
V
DS
= 12 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 10 mA; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
10
3
MLD188
10
2
10
10
1
1
10
2
yos
(mS)
f (MHz)
bos
gos
相關PDF資料
PDF描述
BF1100WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1100 N-channel dual-gate MOSFET
BF1100 N-channel dual-gate MOSFET
BF1100R N-channel dual-gate MOSFET
BF1100R N-channel dual-gate MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BF1100WR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1101 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1101,215 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1101R 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1101R,215 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*