參數(shù)資料
型號(hào)： BF1100WR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1100WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;
文件頁(yè)數(shù)： 11/14頁(yè)
文件大小： 100K
代理商： BF1100WR
1995 Apr 25
11
Philips Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FET
BF1100WR
Fig.26 Cross-modulation test circuit.
handbook, full pagewidth
DUT
VAGC
C1
4.7 nF
R1
10 k
MGC420
C4
4.7 nF
L1
450 nH
≈
C3
12 pF
RL
50
VGG
VDS
RGEN
50
VI
R2
50
4.7 nF
C2
RG
For V
GG
= V
DS
= 9 V, R
G =
180 k
.
For V
GG
= V
DS
= 12 V, R
G =
250 k
.
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PDF描述
BF1100WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1100 N-channel dual-gate MOSFET
BF1100 N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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BF1101 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1101,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1101R 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1101R,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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