參數(shù)資料
型號(hào)： BF1100R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1100R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;BF1100R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47
文件頁(yè)數(shù)： 7/15頁(yè)
文件大?。?/td> 311K
代理商： BF1100R
NXP
Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FETs
BF1100; BF1100R
Fig.11 Drain current as a function of gate 1 current;
typical values.
V
DS
= 9 to 12 V.
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
20
40
80
60
12
4
0
8
MLD163
IG1
μ
A)
Fig.12 Drain current as a function of gate 1 supply
voltage (= V
GG
) and drain supply voltage;
typical values; see Fig.27.
V
G2-S
= 4 V.
R
G1
connected to V
GG
.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
15
10
5
0
4
8
16
MLD164
12
VGG
DS
RG1
147 k
180 k
205 k
249 k
301 k
402 k
511 k
Fig.13 Drain current as a function of gate 1 voltage
(= V
GG
); typical values; see Fig.27.
V
DS
= 9 V; V
G2-S
= 4 V.
R
G1
= 180 k
(
connected to V
GG
); T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
2
4
10
8
6
4
0
8
MLD165
VGG
ID
(mA)
V
DS
= 12 V; V
G2-S
= 4 V.
R
G1
= 250 k
(connected to V
GG
); T
j
= 25
°
C.
Fig.14 Drain current as a function of gate 1 voltage;
(= V
GG
); typical values; see Fig.27.
handbook, halfpage
0
4
8
12
4
0
8
MLD166
VGG
ID
(mA)
Rev. 02 - 13 November 2007
7 of 15
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PDF描述
BF1101 N-channel dual-gate MOSFET
BF1101 N-channel dual-gate MOSFET
BF1101R N-channel dual-gate MOSFET
BF1101WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1101R N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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BF1100R,235 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 14V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1100RT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 14V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143R
BF1100T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 14V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143
BF1100WR 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual-gate MOS-FET
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