參數(shù)資料
型號(hào)： BF1100R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1100R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;BF1100R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47
文件頁(yè)數(shù)： 6/15頁(yè)
文件大?。?/td> 311K
代理商： BF1100R
NXP
Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FETs
BF1100; BF1100R
Fig.7 Output characteristics; typical values.
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(mA)
0
16
4
8
12
0
4
16
MLD159
8
12
VDS
1.3 V
1.2 V
1.1 V
1.0 V
0.9 V
VG1 S
Fig.8 Transfer characteristics; typical values.
V
DS
= 9 to 12 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(mA)
0
16
4
8
12
0
0.4
2.0
MLD160
0.8
1.2
1.6
VG1 S
VG2 S
2.5 V
2 V
1.5 V
1 V
3 V
Fig.9
Gate 1 current as a function of gate 1
voltage; typical values.
V
DS
= 9 to 12 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(
μ
A)
0
1
2
3
200
150
50
0
100
MLD161
VG1 S
3 V
2.5 V
2 V
3.5 V
VG2 S
Fig.10 Forward transfer admittance as a function
of drain current; typical values.
V
DS
= 9 to 12 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
yfs
(mS)
0
20
30
10
0
10
20
30
MLD162
ID
3 V
2.5 V
2 V
VG2 S
3.5 V
Rev. 02 - 13 November 2007
6 of 15
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1101 N-channel dual-gate MOSFET
BF1101 N-channel dual-gate MOSFET
BF1101R N-channel dual-gate MOSFET
BF1101WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1101R N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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BF1100R,235 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 14V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1100RT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 14V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143R
BF1100T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 14V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143
BF1100WR 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:Dual-gate MOS-FET
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