參數(shù)資料
型號(hào)： BF1100R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1100R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;BF1100R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47
文件頁(yè)數(shù)： 12/15頁(yè)
文件大?。?/td> 311K
代理商： BF1100R
NXP
Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FETs
BF1100; BF1100R
Table 1
Scattering parameters: V
DS
= 9 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA
Table 2
Noise data: V
DS
= 9 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA
Table 3
Scattering parameters: V
DS
= 12 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA
Table 4
Noise data: V
DS
= 12 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
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7.4
14.7
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28.7
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47.9
53.5
59.6
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(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
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15.7
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26.7
30.3
33.9
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1000
f
(MHz)
F
min
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Γ
opt
r
n
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(deg)
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2.00
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Rev. 02 - 13 November 2007
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PDF描述
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BF1100R,235 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 14V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1100RT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 14V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143R
BF1100T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 14V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143
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