參數(shù)資料
型號： BF1100R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1100R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;BF1100R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47
文件頁數(shù)： 15/15頁
文件大小： 311K
代理商： BF1100R
NXP Semiconductors
BF1100; BF1100R
Dual-gate MOS-FETs
NXP B.V. 2007.
All rights reserved.
For more information, please visit: http://www.nxp.com
For sales office addresses, please send an email to: salesaddresses@nxp.com
Date of release: 13 November 2007
Document identifier: BF1100_N_2
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Revision history
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Document ID
BF1100_N_2
Modifications:
BF1100_1
Release date
20071113
Fig. 1 and 2 on page 2; Figure note changed
19950425
Product specification
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BF1100_1
-
-
相關PDF資料
PDF描述
BF1101 N-channel dual-gate MOSFET
BF1101 N-channel dual-gate MOSFET
BF1101R N-channel dual-gate MOSFET
BF1101WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1101R N-channel dual-gate MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BF1100R,215 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1100R,235 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 14V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1100RT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 14V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143R
BF1100T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 14V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143
BF1100WR 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual-gate MOS-FET
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