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參數(shù)資料
| 型號： | BF1100 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | N-channel dual-gate MOSFET |
| 封裝： | BF1100<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,; |
| 文件頁數(shù)： | 9/15頁 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | BF1100 |
NXP
Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FETs
BF1100; BF1100R
Fig.19 Input admittance as a function of
frequency; typical values.
V
DS
= 9 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 10 mA; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
10
3
MLD172
10
2
10
10
1
2
10
1
yis
(mS)
f (MHz)
bis
gis
V
DS
= 9 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 10 mA; T
amb
= 25
°
C.
Fig.20 Reverse transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
10
3
MLD173
10
2
10
10
3
10
2
10
1
yrs
(
μ
S)
10
3
10
10
1
2
f (MHz)
yrs
rs
(deg)
rs
Fig.21 Forward transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
V
DS
= 9 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 10 mA; T
amb
= 25
°
C.
10
3
MLD174
10
2
10
1
10
2
10
1
10
10
2
yfs
(mS)
yfs
f (MHz)
fs
(deg)
fs
Fig.22 Output admittance as a function of
frequency; typical values.
V
DS
= 9 V; V
G2
= 4 V.
I
D
=10 mA; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
10
3
MLD175
10
2
10
10
1
1
10
2
yos
(mS)
f (MHz)
bos
gos
Rev. 02 - 13 November 2007
9 of 15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1100R | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1100R | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1101 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1101 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1101R | N-channel dual-gate MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BF1100,215 | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
| BF1100/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Dual-Gate MOS-FETs |
| BF1100/WR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Dual-Gate MOS-FETs |
| BF1100R | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual-gate MOS-FETs |
| BF1100R,215 | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
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