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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BF1100 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | N-channel dual-gate MOSFET |
| 封裝： | BF1100<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,; |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 311K |
| 代理商： | BF1100 |
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NXP Semiconductors
BF1100; BF1100R
Dual-gate MOS-FETs
NXP B.V. 2007.
All rights reserved.
For more information, please visit: http://www.nxp.com
For sales office addresses, please send an email to: salesaddresses@nxp.com
Date of release: 13 November 2007
Document identifier: BF1100_N_2
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Revision history
Revision history
Document ID
BF1100_N_2
Modifications:
BF1100_1
Release date
20071113
Fig. 1 and 2 on page 2; Figure note changed
19950425
Product specification
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
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Supersedes
BF1100_1
-
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1100R | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1100R | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1101 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1101 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1101R | N-channel dual-gate MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BF1100,215 | 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
| BF1100/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Dual-Gate MOS-FETs |
| BF1100/WR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Dual-Gate MOS-FETs |
| BF1100R | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual-gate MOS-FETs |
| BF1100R,215 | 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
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