參數(shù)資料
型號(hào)： BF1100
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1100<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;
文件頁數(shù)： 12/15頁
文件大?。?/td> 311K
代理商： BF1100
NXP
Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FETs
BF1100; BF1100R
Table 1
Scattering parameters: V
DS
= 9 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA
Table 2
Noise data: V
DS
= 9 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA
Table 3
Scattering parameters: V
DS
= 12 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA
Table 4
Noise data: V
DS
= 12 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
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7.4
14.7
21.8
28.7
35.4
42.0
47.9
53.5
59.6
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(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
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4.2
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15.7
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26.7
30.3
33.9
37.6
50
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0.983
0.974
0.960
0.953
0.933
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0.839
2.528
2.531
2.490
2.446
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2.146
2.087
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130.1
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0.001
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f
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F
min
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Γ
opt
r
n
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(deg)
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Rev. 02 - 13 November 2007
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