參數(shù)資料
型號： BCW29T/R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC, SST3, SMD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 111K
代理商： BCW29T/R
2004 Jan 13
3
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BCW29; BCW30
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
ICBO
collector cut-off current
IE = 0; VCB = 32 V
100
nA
IE = 0; VCB = 32 V; Tj = 100 °C
10
μA
IEBO
emitter cut-off current
IC = 0; VEB = 5 V
100
nA
hFE
DC current gain
IC = 10 μA; VCE = 5 V
BCW29
90
BCW30
150
DC current gain
IC = 2 mA; VCE = 5 V
BCW29
120
260
BCW30
215
500
VCEsat
collector-emitter saturation
voltage
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
80
300
mV
IC = 50 mA; IB = 2.5 mA
150
mV
VBEsat
base-emitter saturation voltage
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
720
mV
IC = 50 mA; IB = 2.5 mA
810
mV
VBE
base-emitter voltage
IC = 2 mA; VCE = 5 V
600
750
mV
Cc
collector capacitance
IE = Ie = 0; VCB = 10 V; f = 1 MHz
4.5
pF
fT
transition frequency
IC = 10 mA; VCE = 5 V; f = 100 MHz 100
MHz
F
noise figure
IC = 200 μA; VCE = 5 V; RS = 2 kΩ;
f = 1 kHz; B = 200 Hz
10
dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCW60DL99Z 100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW61C-T 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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BCW30 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW30 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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