參數(shù)資料
型號： BCW29T/R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC, SST3, SMD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 111K
代理商： BCW29T/R
2004 Jan 13
2
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BCW29; BCW30
FEATURES
Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 32 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION
PNP transistor in a SOT23 plastic package.
NPN complements: BCW31 and BCW32.
MARKING
Note
1.
* = p : Made in Hong Kong.
* = t : Made in Malaysia.
* = W : Made in China.
PINNING
TYPE NUMBER
MARKING CODE(1)
BCW29
C1*
BCW30
C2*
PIN
DESCRIPTION
1
base
2
emitter
3
collector
Fig.1 Simplified outline SOT23 and symbol.
handbook, halfpage
2
1
3
MAM256
Top view
2
3
1
ORDERING INFORMATION
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
TYPE
NUMBER
PACKAGE
NAME
DESCRIPTION
VERSION
BCW29
plastic surface mounted package; 3 leads
SOT23
BCW30
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VCBO
collector-base voltage
open emitter
32
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base; IC = 2 mA
32
V
VEBO
emitter-base voltage
open collector
5
V
IC
collector current (DC)
100
mA
ICM
peak collector current
200
mA
IBM
peak base current
200
mA
Ptot
total power dissipation
Tamb ≤ 25 °C
250
mW
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
150
°C
Tamb
operating ambient temperature
65
+150
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCW60DL99Z 100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW61C-T 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW61CTRL13 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW61DS62Z 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW70/T4 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCW30 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW30 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW30 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW30,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW30,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*