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參數(shù)資料
| 型號： | BCW61CTRL13 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | BCW61CTRL13 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW61DS62Z | 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCW70/T4 | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCW70-T | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCX17T/R | 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| BD-A516RI | 7 SEG NUMERIC DISPLAY, SUPER RED, 14.224 mm |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCW61D | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Transistor PNP AF 32V 100mA hfe500 SOT23 |
| BCW61D T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW61D,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW61D/E8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BCW61D/E9 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
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