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BCW61D T/R

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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BCW61D T/R PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
BCW61D T/R 技術(shù)參數(shù)
  • BCW61CT116 功能描述:TRANS PNP 32V 0.2A SST3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):Not For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):250 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SST3 標準包裝:3,000 BCW61CMTF 功能描述:TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):550mV @ 1.25mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):20nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):250 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 BCW61CE6327HTSA1 功能描述:TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):上次購買時間 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):550mV @ 1.25mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):20nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):250 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:330mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BCW61C,235 功能描述:TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):550mV @ 1.25mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):20nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):250 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:10,000 BCW61C,215 功能描述:TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):550mV @ 1.25mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):20nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):250 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標準包裝:1 BCW66FVL BCW66G BCW66G_D87Z BCW66GLT1 BCW66GLT1G BCW66GLT3G BCW66GR BCW66GVL BCW66HR BCW66HTA BCW66HTC BCW66HVL BCW66KE6359HTMA1 BCW66KFE6327HTSA1 BCW66KGE6327HTSA1 BCW66KHB6327HTLA1 BCW66KHE6327HTSA1 BCW67BE6327HTSA1
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