參數(shù)資料
型號(hào)： BCW61C-T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 120K
代理商： BCW61C-T
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of 1997 May 28
1999 Apr 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BCW61 series
PNP general purpose transistors
dbook, halfpage
M3D088
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCW61CTRL13 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW61DS62Z 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW70/T4 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW70-T 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCX17T/R 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCW61CT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA
BCW61CT116 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 200MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61CTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61CTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61D 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Transistor PNP AF 32V 100mA hfe500 SOT23
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