參數(shù)資料
型號： BCR3AS-8
英文描述： Thyristor Product Catalog
中文描述： 晶閘管產(chǎn)品目錄
文件頁數(shù)： 48/224頁
文件大小： 2697K
代理商： BCR3AS-8
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁當前第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁
Alternistor Triacs
Data Sheets
http://www.teccor.com
+1 972-580-7777
E4 - 4
2002 Teccor Electronics
Thyristor Product Catalog
See “General Notes” and “Electrical Specification Notes” on page E4 - 5.
Test Conditions
di/dt
— Maximum rate-of-change of on-state current
dv/dt
— Critical rate-of-rise of off-state voltage at rated V
DRM
gate open
dv/dt(c)
— Critical rate-of-rise of commutation voltage at rated V
DRM
and I
T(RMS)
commutating di/dt = 0.54 rated I
T(RMS)
/ms; gate
unenergized
I
2
t
— RMS surge (non-repetitive) on-state current for period of 8.3 ms
for fusing
I
DRM
— Peak off-state current gate open; V
DRM
= maximum rated value
I
GT
— DC gate trigger current in specific operating quadrants;
V
D
= 12 V dc
I
GTM
— Peak gate trigger current
I
H
— Holding current (DC); gate open
I
T(RMS)
— RMS on-state current conduction angle of 360°
I
TSM
— Peak one-cycle surge
P
G(AV)
— Average gate power dissipation
P
GM
— Peak gate power dissipation;
I
GT
≤
I
GTM
t
gt
— Gate controlled turn-on time; I
GT
= 300 mA with 0.1 μs rise time
V
DRM
— Repetitive peak blocking voltage
V
GT
— DC gate trigger voltage; V
D
= 12 V dc
V
TM
— Peak on-state voltage at maximum rated RMS current
I
T(RMS)
(4)(16)
Part Number
V
DRM
(1)
I
GT
Isolated
Non-isolated
T0-220
TO-218
(16)
See “Package Dimensions” section for variations. (11)
TO-218X
TO-220
TO-263
D
Pak
Volts
(3) (7) (15) (17)
mAmps
QI
QII
MAX
20
20
20
20
20
35
35
35
35
35
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
50
50
50
50
50
50
100
100
100
100
100
QIII
MAX
16 A
Q2016LH3
Q4016LH3
Q6016LH3
Q8016LH3
QK016LH3
Q2016LH4
Q4016LH4
Q6016LH4
Q8016LH4
QK016LH4
Q2016LH6
Q4016LH6
Q6016LH6
Q8016LH6
QK016LH6
Q2025L6
Q4025L6
Q6025L6
Q8025L6
QK025L6
Q2030LH5
Q4030LH5
Q6030LH5
Q2016RH3
Q4016RH3
Q6016RH3
Q8016RH3
QK016RH3
Q2016RH4
Q4016RH4
Q6016RH4
Q8016RH4
QK016RH4
Q2016RH6
Q4016RH6
Q6016RH6
Q8016RH6
QK016RH6
Q2025R6
Q4025R6
Q6025R6
Q8025R6
QK025R6
Q2016NH3
Q4016NH3
Q6016NH3
Q8016NH3
QK016NH3
Q2016NH4
Q4016NH4
Q6016NH4
Q8016NH4
QK016NH4
Q2016NH6
Q4016NH6
Q6016NH6
Q8016NH6
QK016NH6
Q2025NH6
Q4025NH6
Q6025NH6
Q8025NH6
QK025NH6
200
400
600
800
1000
200
400
600
800
1000
200
400
600
800
1000
200
400
600
800
1000
200
400
600
200
400
600
200
400
600
800
1000
20
20
20
20
20
35
35
35
35
35
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
50
50
50
50
50
50
100
100
100
100
100
20
20
20
20
20
35
35
35
35
35
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
50
50
50
50
50
50
100
100
100
100
100
25 A
Q2025K6
Q4025K6
Q6025K6
Q8025K6
QK025K6
Q2025J6
Q4025J6
Q6025J6
Q8025J6
30 A
35 A
Q2035RH5
Q4035RH5
Q6035RH5
Q2035NH5
Q4035NH5
Q6035NH5
40 A
Q2040K7
Q4040K7
Q6040K7
Q8040K7
QK040K7
Q2040J7
Q4040J7
Q6040J7
Q8040J7
MT1
MT2
G
K
G
A
K
A
G
A
A
MT1
G
MT2
MT2
MT2
MT2
MT1
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCR3KM14L TRIAC|700V V(DRM)|3A I(T)RMS|TO-220AB
BCR3KM14R TRIAC|700V V(DRM)|3A I(T)RMS|TO-220AB
BCR3KM8 TRIAC|400V V(DRM)|3A I(T)RMS|TO-220AB
BCR3KM-8 BCR3KM-8 BCR3KM-12 Datasheet 382K/MAR.20.03
BCR3PM-12 FUSEHOLDER 3AG SHOCKSAFE FLIPTOP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCR3FM-12LB 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:600V - 3A - Triac Medium Power Use
BCR3FM-12LB#BB0 功能描述:TRIAC 600V 3A 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 三端雙向可控硅類型:標準 電壓 - 斷態(tài):600V 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:3A 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1.5V 電流 - 不重復浪涌 50，60Hz（Itsm）:30A @ 60Hz 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:20mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:- 配置:單一 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:1
BCR3FM-12LB-A8BB0 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:600V - 3A - Triac Medium Power Use
BCR3FM-12LBBB0 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:600V - 3A - Triac Medium Power Use
BCR3FM-12RB 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:600V - 3A - Triac Medium Power Use
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*