參數(shù)資料
型號(hào)： BB401M
英文描述： MoBL® 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 6V的五（巴西）直| 25mA電流（丁）|的SOT - 143VAR
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大?。?/td> 63K
代理商： BB401M
BB401M
7
60
50
40
30
20
10
0
G
Gain Reduction vs.
Gate2 to Source Voltage
Gate2 to Source Voltage V (V)
1
2
3
4
5
0
N
Noise Figure vs. Drain Current
Drain Current I (mA)
5
10
15
20
25
30
4
3
2
1
4
3
2
1
0
I
Input Capacitance vs.
Gate2 to Source Voltage
Gate2 to Source Voltage V (V)
1
2
3
4
5
V = 5 V
V = 5 V
R = 100 k
f = 1 MHz
V = 5 V
V = 5 V
V = 4 V
R = variable
f = 200 MHz
V = 5 V
V = 5 V
V = 4 V
R = 100 k
f = 200 MHz
30
25
20
15
10
5
0
D
D
Drain Current vs. Gate Resistance
Gate Resistance R (k )
10
20
50
100 200
500 1000
V = 5 V
V = 5 V
V = 4 V
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PDF描述
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