參數(shù)資料
型號(hào)： BB401M
英文描述： MoBL® 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 6V的五（巴西）直| 25mA電流（?。﹟的SOT - 143VAR
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 63K
代理商： BB401M
BB401M
6
20
16
12
8
4
0
1
2
3
4
5
F
f
Forward Transfer Admittance vs.
Gate1 to Source Voltage
Gate1 to Source Voltage V (V)
V = 5 V
R = 150 k
f = 1 kHz
V = 1 V
4V
3 V
2 V
Power Gain vs. Gate Resistance
30
25
20
15
10
5
0
10
20
Gate Resistance R (k )
50
100 200
500 1000
P
30
25
20
15
10
5
0
P
Power Gain vs. Drain Current
Drain Current I (mA)
5
10
15
20
25
30
V = 5 V
V = 5 V
V = 4 V
R = variable
f = 200 MHz
V = 5 V
V = 5 V
V = 4 V
f = 200 MHz
Noise Figure vs. Gate Resistance
0
Gate Resistance R (k )
N
4
3
2
1
10
20
50
100 200
500 1000
V = 5 V
V = 5 V
V = 4 V
f = 200 MHz
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PDF描述
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