參數(shù)資料
型號： BAV756
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： High-speed switching diode array
中文描述： 高速開關(guān)二極管陣列
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： BAV756
1997 Oct 21
4
Philips Semiconductors
Product specification
High-speed switching diode array
BAV756S
GRAPHICAL DATA
Fig.2
Maximum permissible continuous forward
current as a function of soldering point
temperature.
0
200
300
0
100
200
MBK148
100
Ts (
°
C)
IF
(mA)
single diode loaded
all diodes loaded
(1) T
j
= 150
°
C; typical values.
(2) T
j
= 25
°
C; typical values.
(3) T
j
= 25
°
C; maximum values.
Fig.3
Forward current as a function of
forward voltage.
handbook, halfpage
0
2
IF
(mA)
0
100
200
MBG382
1
VF (V)
(1)
(3)
(2)
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.
Based on square wave currents.
T
j
= 25
°
C prior to surge.
handbook, full pagewidth
MBG704
10
tp (
μ
s)
1
IFSM
(A)
2
10
1
10
4
10
2
10
3
10
1
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