| 型號(hào): | BAV756 |
| 廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述: | High-speed switching diode array |
| 中文描述: | 高速開關(guān)二極管陣列 |
| 文件頁數(shù): | 10/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商: | BAV756 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BB157 | VHF variable capacitance diode |
| BB190 | UHF variable capacitance diode |
| BB200 | Low-voltage variable capacitance double diode |
| BC200 | MINIATURE PNP AF LOW NOISE SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| BCF29 | PNP general purpose transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BAV756DW | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:QUAD SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAY |
| BAV756DW_08 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:QUAD SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAY |
| BAV756DW_1 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:QUAD SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAY |
| BAV756DW-7 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 75V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| BAV756DW-7-F | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 75V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |