參數資料
型號： BAV756
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： High-speed switching diode array
中文描述： 高速開關二極管陣列
文件頁數： 3/12頁
文件大小： 73K
代理商： BAV756
1997 Oct 21
3
Philips Semiconductors
Product specification
High-speed switching diode array
BAV756S
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
One or more diodes loaded.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
Per diode
V
F
forward voltage
see Fig.3
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 150 mA
see Fig.5
V
R
= 25 V
V
R
= 75 V
V
R
= 25 V; T
j
= 150
°
C
V
R
= 75 V; T
j
= 150
°
C
V
R
= 0; f = 1 MHz
when switched from I
F
= 10 mA to I
R
= 10 mA;
R
L
= 100
; measured at I
R
= 1 mA; see Fig.6
when switched from I
F
= 10 mA; t
r
= 20 ns; see Fig.7
715
855
1
1.25
mV
mV
V
V
I
R
reverse current
30
2.5
60
100
2
4
nA
μ
A
μ
A
μ
A
pF
ns
C
d
t
rr
diode capacitance
reverse recovery time
V
fr
forward recovery voltage
1.75
V
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
note 1
255
K/W
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