參數(shù)資料
型號： AUIRF1018ES
元件分類： JFETs
英文描述： 79 A, 60 V, 0.0084 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 9/11頁
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代理商： AUIRF1018ES
AUIRF1018ES
www.irf.com
7
Fig 23a. Switching Time Test Circuit
Fig 23b. Switching Time Waveforms
V
GS
V
DS
90%
10%
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
Fig 22b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 22a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V(BR)DSS
IAS
RG
IAS
0.01
Ω
tp
D.U.T
L
VDS
+
- VDD
DRIVER
A
15V
20V
VGS
Fig 24a. Gate Charge Test Circuit
Fig 24b. Gate Charge Waveform
VDS
Pulse Width ≤ 1s
Duty Factor ≤ 0.1 %
RD
VGS
RG
D.U.T.
10V
+
-VDD
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1
Qgs2
Qgd
Qgodr
1K
VCC
DUT
0
L
S
20K
CircuitLayoutConsiderations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤ 5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
VGS=10V
VDD
ISD
Driver Gate Drive
D.U.T. ISD Waveform
D.U.T. VDS Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
*** VGS = 5V for Logic Level Devices
***
+
-
+
-
RG
VDD
dv/dt controlled by RG
Driver same type as D.U.T.
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
**
*
* Use P-Channel Driver for P-Channel Measurements
** Reverse Polarity for P-Channel
Fig 21.
Diode Reverse Recovery Test Circuit for HEXFET Power MOSFETs
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PDF描述
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