參數(shù)資料
型號： AUIRF1018ES
元件分類： JFETs
英文描述： 79 A, 60 V, 0.0084 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大小： 243K
代理商： AUIRF1018ES
AUIRF1018ES
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 11. Typical COSS Stored Energy
Fig 9. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 12. Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I S
D
,R
ev
er
se
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
0.1
1
10
100
VDS, Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
DC
0
10
20
30
40
50
60
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
E
ne
rg
y
(μ
J)
25
50
75
100
125
150
175
TC , CaseTemperature (°C)
0
20
40
60
80
I D
,D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ , Temperature ( °C )
60
65
70
75
80
V
(B
R
)D
S
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
B
re
ak
do
w
n
V
ol
ta
ge
(V
)
Id = 5mA
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
E
A
S
,
S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
I D
TOP
5.3A
11A
BOTTOM
47A
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PDF描述
AUIRF1018ESTRR 79 A, 60 V, 0.0084 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
AUIRF1018ESTRL 79 A, 60 V, 0.0084 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
AUIRF1324S-7PTRR 240 A, 24 V, 0.001 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AUIRF1324S-7PTRL 240 A, 24 V, 0.001 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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