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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ATF10236 |
| 英文描述： | 0.5?12 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
| 中文描述： | 0.5？12吉赫的低噪聲砷化鎵場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 47K |
| 代理商： | ATF10236 |
5-28
Typical Scattering Parameters,
Common Source, Z
O
= 50
, T
A
= 25
°
C, V
DS
= 2 V, I
DS
=25 mA
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
0.5
.97
-20
15.1
5.68
1.0
.93
-41
14.9
5.58
2.0
.77
-81
13.6
4.76
3.0
.59
-114
12.2
4.06
4.0
.48
-148
10.9
3.51
5.0
.46
166
9.6
3.03
6.0
.53
125
8.5
2.65
7.0
.62
96
6.9
2.22
8.0
.71
73
4.9
1.75
9.0
.75
54
3.3
1.47
10.0
.78
39
2.1
1.28
11.0
.82
26
0.3
1.04
12.0
.84
12
-0.5
0.95
A model for this device is available in the DEVICE MODELS section.
S
12
Mag.
.023
.050
.086
.120
.149
.172
.189
.191
.189
.184
.180
.179
.177
S
22
Ang.
162
143
107
80
52
26
1
-20
-39
-55
-72
-86
-101
dB
-32.8
-26.0
-21.3
-18.4
-16.5
-15.3
-14.5
-14.4
-14.5
-14.7
-14.9
-14.9
-15.0
Ang.
76
71
51
35
18
3
-14
-28
-41
-46
-59
-71
-82
Mag.
.47
.45
.36
.30
.23
.10
.09
.24
.37
.46
.51
.54
.54
Ang.
-11
-23
-38
-51
-67
-67
48
55
51
42
34
26
17
1
3
4
2
SOURCE
SOURCE
DRAIN
GATE
2.15
(0.085)
2.11 (0.083) DIA.
0.508
(0.020)
2.54
(0.100)
4.57
±
0.25
0.180
±
0.010
0.15
±
0.05
(0.006
±
0.002)
Notes:
1. Dimensions are in millimeters (inches)
2. Tolerances: in .xxx =
±
0.005
mm .xx =
±
0.13
0.56
(0.022)
1.45
±
0.25
(0.057
±
0.010)
36 micro-X Package Dimensions
1
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PDF描述 |
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