參數(shù)資料
型號： ATF-58143-BLKG
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, SC-70, 4 PIN
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 232K
代理商： ATF-58143-BLKG
8
Package Dimensions Outline 43 (SOT-343/SC70 4 lead)
Notes:
1. All dimensions are in mm.
2. Dimensions are inclusive of plating.
3. Dimensions are exclusive of mold flash and metal blurr.
4. All specifications comply to EIAJ SC70.
5. Die is facing up for mold and facing down for trim/form,
i.e., reverse trim/form.
6. Package surface to be mirror finish.
Symbol
MIN.(mm)
MAX.(mm)
E
1.15
1.35
D
1.85
2.25
HE
1.80
2.40
A
0.80
1.10
A2
0.80
1.00
A1
0.00
0.10
b
0.25
0.40
b1
0.55
0.70
c
0.10
0.20
L
0.10
0.46
Ordering Information
Part Number
No. of Devices
Container
ATF58143TR1G
3000
7” Reel
ATF58143TR2G
10000
13”Reel
ATF58143BLKG
100
antistatic bag
Recommended PCB Pad Layout
for Avago's SC70 4L/SOT-343 Products
(Dimensions in inches/mm)
Device Orientation
USER
FEED
DIRECTION
COVER TAPE
CARRIER
TAPE
REEL
END VIEW
8 mm
4 mm
TOP VIEW
8Fx
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ATF-58143-TR1G C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATP101 25 A, 30 V, 0.03 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP102 40 A, 30 V, 0.0185 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP103 55 A, 30 V, 0.013 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP103 55 A, 30 V, 0.013 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ATF-58143-BLKG 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor
ATF-58143-TR1 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package
ATF-58143-TR1G 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Single Voltage RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
ATF-58143-TR2 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package
ATF-58143-TR2G 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Single Voltage RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*