參數(shù)資料
型號(hào)： ATF-58143-TR1G
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, SC-70, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
文件大?。?/td> 232K
代理商： ATF-58143-TR1G
ATF-58143
Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT
in a Surface Mount Plastic Package
Data Sheet
Description
Avago Technologies’ ATF58143 is a high dynamic range,
low noise EPHEMT housed in a 4lead SC70 (SOT343)
surface mount plastic package.
The combination of high gain, high linearity and low
noise makes the ATF58143 ideal as low noise ampli
fier for cellular/PCS/WCDMA base stations, wireless lo
cal loop, and other applications that require low noise
and high linearity performance in the 450 MHz to 6 GHz
frequency range.
Surface Mount Package SOT-343
Features
Low noise and high linearity performance
Enhancement Mode Technology[1]
Excellent uniformity in product specifications
Low cost surface mount small plastic package SOT
343 (4 lead SC70) in TapeandReel packaging option
available
Leadfree option available
Specifications
2 GHz; 3V, 30 mA (Typ.)
30.5 dBm output 3rd order intercept
19 dBm output power at 1 dB
0.5 dB noise figure
16.5 dB associated gain
Applications
Q1 LNA for cellular/PCS/WCDMA base stations
Q1, Q2 LNA and Predriver amplifier for 3–4 GHz WLL
Other low noise and high linearity applications at 450
MHz to 6 GHz
Note:
1. Enhancement mode technology requires positive Vgs, thereby
eliminating the need for the negative gate voltage associated with
conventional depletion mode devices.
Pin Connections and Package Marking
Note:
Top View. Package marking provides orientation and identification
“8F” = Device Code
“x” = Date code character
identifies month of manufacture.
SOURCE
DRAIN
GATE
SOURCE
8Fx
Attention: Observe precautions for
handling electrostatic sensitive devices.
ESD Machine Model (Class A)
ESD Human Body Model (Class 1A)
Refer to Avago Technologies Application Note A004R:
Electrostatic Discharge Damage and Control.
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PDF描述
ATP101 25 A, 30 V, 0.03 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP102 40 A, 30 V, 0.0185 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP103 55 A, 30 V, 0.013 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP103 55 A, 30 V, 0.013 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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ATF6 功能描述:TERM BLOCK DIN RAIL 8MM GRAY RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> 接線座 - Din 軌道，通道 系列:ATF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:CLIPLINE UK 類型:斷連 斷開類型:保險(xiǎn)絲，桿 位置數(shù):3 級(jí)別數(shù)目:1 端子 - 寬度:18.0mm 端接類型:螺釘 電流 - IEC:32A 電壓 - IEC:690V 電流 - UL:30A 電壓 - UL:600V 線規(guī)或范圍 - AWG:3-18 AWG 線規(guī)或范圍 - mm²:1.5-25mm² 特點(diǎn):- 顏色:黑 保險(xiǎn)絲類型:小型，10.3mm x 38mm 材料 - 絕緣體:聚酰胺（PA），尼龍 材料可燃性額定值:UL94 V-0 剝線長(zhǎng)度:12mm 其它名稱:UK 10.3-HESI N 3POLUK10.3-HESIN3POL
ATF6BK 功能描述:TERM BLOCK DIN RAIL 8MM BLACK RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> 接線座 - Din 軌道，通道 系列:ATF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:CLIPLINE UK 類型:斷連 斷開類型:保險(xiǎn)絲，桿 位置數(shù):3 級(jí)別數(shù)目:1 端子 - 寬度:18.0mm 端接類型:螺釘 電流 - IEC:32A 電壓 - IEC:690V 電流 - UL:30A 電壓 - UL:600V 線規(guī)或范圍 - AWG:3-18 AWG 線規(guī)或范圍 - mm²:1.5-25mm² 特點(diǎn):- 顏色:黑 保險(xiǎn)絲類型:小型，10.3mm x 38mm 材料 - 絕緣體:聚酰胺（PA），尼龍 材料可燃性額定值:UL94 V-0 剝線長(zhǎng)度:12mm 其它名稱:UK 10.3-HESI N 3POLUK10.3-HESIN3POL
ATF6BU 功能描述:TERM BLOCK DIN RAIL 8MM BLUE RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> 接線座 - Din 軌道，通道 系列:ATF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:CLIPLINE UK 類型:斷連 斷開類型:保險(xiǎn)絲，桿 位置數(shù):3 級(jí)別數(shù)目:1 端子 - 寬度:18.0mm 端接類型:螺釘 電流 - IEC:32A 電壓 - IEC:690V 電流 - UL:30A 電壓 - UL:600V 線規(guī)或范圍 - AWG:3-18 AWG 線規(guī)或范圍 - mm²:1.5-25mm² 特點(diǎn):- 顏色:黑 保險(xiǎn)絲類型:小型，10.3mm x 38mm 材料 - 絕緣體:聚酰胺（PA），尼龍 材料可燃性額定值:UL94 V-0 剝線長(zhǎng)度:12mm 其它名稱:UK 10.3-HESI N 3POLUK10.3-HESIN3POL
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