參數(shù)資料
型號(hào): ATF-58143-TR1G
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝: LEAD FREE, PLASTIC, SC-70, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù): 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 232K
代理商: ATF-58143-TR1G
5
ATF-58143 Typical Performance Curves, continued
Figure 13. P1dB vs. Idq and Vds Tuned for
Max OIP3 and Fmin at 2 GHz.[1]
Idq (mA)
P1dB
(dBm)
0
70
10
20
30
40
50
60
24
22
20
18
16
14
12
3V
4V
Figure 14. P1dB vs. Idq and Vds Tuned for
Max OIP3 and Fmin at 900 MHz.[1]
Idq (mA)
P1dB
(dBm)
0
70
10
20
30
40
50
60
23
22
21
20
19
18
17
16
15
3V
4V
Figure 15. Fmin vs. Frequency and Temp.
Tuned for Max OIP3 and Fmin at 3V, 30 mA.
FREQUENCY (GHz)
Fmin
(dB)
0
6
1
2
3
4
5
1.5
1.0
0.5
0
25
°C
-40
°C
85
°C
25
°C
-40
°C
85
°C
Figure 16. Gain vs. Frequency and Temp.
Tuned for Max OIP3 and Fmin at 3V, 30 mA.
Note:
1. When plotting P1dB, the drain current was
allowed to vary dependent on the RF input power.
FREQUENCY (GHz)
GAIN
(dB)
0
6
2
3
4
5
1
30
25
20
15
10
5
Figure 17. OIP3 vs. Frequency and Temp.
Tuned for Max OIP3 and Fmin at 3V, 30 mA.
FREQUENCY (GHz)
OPI3
(dBm)
0
6
2
3
4
5
1
35
30
25
20
15
10
Figure 18. P1dB vs. Frequency and Temp.
Tuned for Max OIP3 and Fmin at 3V, 30 mA.
FREQUENCY (GHz)
P1dB
(dBm)
0
6
2
3
4
5
1
20.0
19.5
19.0
18.5
18.0
17.5
17.0
16.5
16.0
25
°C
-40
°C
85
°C
25
°C
-40
°C
85
°C
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