參數(shù)資料
型號(hào)： ATF-58143-TR1G
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, SC-70, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 232K
代理商： ATF-58143-TR1G
3
ATF-58143 Electrical Specifications
T
A = 25°C, RF parameters measured in a test circuit for a typical device
Symbol
Parameter and Test Condition
Units
Min.
Typ.[2]
Max.
Vgs
Operational Gate Voltage
Vds = 3V, Ids = 30 mA
V
0.4
0.51
0.75
Vth
Threshold Voltage
Vds = 3V, Ids = 4 mA
V
0.18
0.38
0.52
Idss
Saturated Drain Current
Vds = 3V, Vgs = 0V
A
—
1
5
Gm
Transconductance
Vds = 3V,
mmho
230
410
560
gm =
Idss/Vgs;
Vgs = 0.75 –0.7 = 0.05V
Igss
Gate Leakage Current
Vgd = Vgs = 3V
A
—
200
NF
Noise Figure [1]
f = 2 GHz
Vds = 3V, Ids = 30 mA
dB
—
0.5
0.9
f = 900 MHz
Vds = 3V, Ids = 30 mA
dB
—
0.3
—
f = 2 GHz
Vds = 4V, Ids = 30 mA
dB
—
0.5
—
f = 900 MHz
Vds = 4V, Ids = 30 mA
dB
—
0.3
—
Ga
Associated Gain[1]
f = 2 GHz
Vds = 3V, Ids = 30 mA
dB
15
16.5
18.5
f = 900 MHz
Vds = 3V, Ids = 30 mA
dB
—
23.1
—
f = 2 GHz
Vds = 4V, Ids = 30 mA
dB
—
17.7
—
f = 900 MHz
Vds = 4V, Ids = 30 mA
dB
—
22.5
—
OIP3
Output 3rd Order
f = 2 GHz
Vds = 3V, Ids = 30 mA
dBm
29
30.5
—
Intercept Point[1]
f = 900 MHz
Vds = 3V, Ids = 30 mA
dBm
—
28.6
—
f = 2 GHz
Vds = 4V, Ids = 30 mA
dBm
—
31.5
—
f = 900 MHz
Vds = 4V, Ids = 30 mA
dBm
—
31.0
—
P1dB
1dB Compressed
f = 2 GHz
Vds = 3V, Ids = 30 mA
dBm
—
19
—
Output Power[1]
f = 900 MHz
Vds = 3V, Ids = 30 mA
dBm
—
18
—
f = 2 GHz
Vds = 4V, Ids = 30 mA
dBm
—
21
—
f = 900 MHz
Vds = 4V, Ids = 30 mA
dBm
—
19
—
Notes:
1. Measurements obtained using production test board described in Figure 5.
2. Typical values determined from a sample size of 500 parts from 3 wafers.
Figure 5. Block diagram of 2 GHz production test board used for Noise Figure, Associated Gain, P1dB and OIP3 measurements. This circuit represents a
trade-off between an optimal noise match and associated impedance matching circuit losses.
RFin
RFout
output
matching
0.7 dB loss
input
matching
0.6 dB loss
28.2 + j9.4
51 – j3.3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ATP101 25 A, 30 V, 0.03 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP102 40 A, 30 V, 0.0185 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP103 55 A, 30 V, 0.013 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP103 55 A, 30 V, 0.013 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP104 75 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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ATF-58143-TR2G 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Single Voltage RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
ATF6 功能描述:TERM BLOCK DIN RAIL 8MM GRAY RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> 接線座 - Din 軌道，通道 系列:ATF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:CLIPLINE UK 類型:斷連 斷開類型:保險(xiǎn)絲，桿 位置數(shù):3 級(jí)別數(shù)目:1 端子 - 寬度:18.0mm 端接類型:螺釘 電流 - IEC:32A 電壓 - IEC:690V 電流 - UL:30A 電壓 - UL:600V 線規(guī)或范圍 - AWG:3-18 AWG 線規(guī)或范圍 - mm²:1.5-25mm² 特點(diǎn):- 顏色:黑 保險(xiǎn)絲類型:小型，10.3mm x 38mm 材料 - 絕緣體:聚酰胺（PA），尼龍 材料可燃性額定值:UL94 V-0 剝線長(zhǎng)度:12mm 其它名稱:UK 10.3-HESI N 3POLUK10.3-HESIN3POL
ATF6BK 功能描述:TERM BLOCK DIN RAIL 8MM BLACK RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> 接線座 - Din 軌道，通道 系列:ATF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:CLIPLINE UK 類型:斷連 斷開類型:保險(xiǎn)絲，桿 位置數(shù):3 級(jí)別數(shù)目:1 端子 - 寬度:18.0mm 端接類型:螺釘 電流 - IEC:32A 電壓 - IEC:690V 電流 - UL:30A 電壓 - UL:600V 線規(guī)或范圍 - AWG:3-18 AWG 線規(guī)或范圍 - mm²:1.5-25mm² 特點(diǎn):- 顏色:黑 保險(xiǎn)絲類型:小型，10.3mm x 38mm 材料 - 絕緣體:聚酰胺（PA），尼龍 材料可燃性額定值:UL94 V-0 剝線長(zhǎng)度:12mm 其它名稱:UK 10.3-HESI N 3POLUK10.3-HESIN3POL
ATF6BU 功能描述:TERM BLOCK DIN RAIL 8MM BLUE RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> 接線座 - Din 軌道，通道 系列:ATF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:CLIPLINE UK 類型:斷連 斷開類型:保險(xiǎn)絲，桿 位置數(shù):3 級(jí)別數(shù)目:1 端子 - 寬度:18.0mm 端接類型:螺釘 電流 - IEC:32A 電壓 - IEC:690V 電流 - UL:30A 電壓 - UL:600V 線規(guī)或范圍 - AWG:3-18 AWG 線規(guī)或范圍 - mm²:1.5-25mm² 特點(diǎn):- 顏色:黑 保險(xiǎn)絲類型:小型，10.3mm x 38mm 材料 - 絕緣體:聚酰胺（PA），尼龍 材料可燃性額定值:UL94 V-0 剝線長(zhǎng)度:12mm 其它名稱:UK 10.3-HESI N 3POLUK10.3-HESIN3POL
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