- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄42903 > ATF-53189-BLK C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | ATF-53189-BLK |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封裝： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 144K |
| 代理商： | ATF-53189-BLK |
14
SOT 89 Package Dimensions
Ordering Information
Part Number
No. of Devices
Container
ATF-53189-TR1
3000
13” Reel
ATF-53189-BLK
100
Anti-static bag
Device Models, PCB Layout and Stencil Device
Refer to Avago’s Web Site:
www.avagotech.com/view/rf
DIMENSIONS Millimeters
COMMON
MIN.
1.40
0.44
0.36
0.35
4.40
1.62
2.30
2.13
1.50 BSC
3.00 BSC
3.95
0.90
NOM.
1.50
0.50
0.42
0.40
4.50
1.73
2.50
2.20
1.50 BSC
3.00 BSC
4.10
1.10
MAX.
1.60
0.56
0.48
0.44
4.60
1.83
2.60
2.29
1.50 BSC
3.00 BSC
4.25
1.20
SYMBOL
A
B
B1
C
D
D1
E
E1
e
e1
H
L
Notes:
1. Dimensioning and tolerancing per ANSI.Y14.5M-1982
2. Controlling dimension: Millimeter convertions to inches are not necessarily exact.
3. Dimension B1, 2 places.
DIMENSIONS Inches
MIN.
0.055
0.017
0.014
0.173
0.064
0.090
0.084
0.059 BSC
0.118 BSC
0.155
0.035
NOM.
0.059
0.0195
0.0165
0.016
0.177
0.068
0.096
0.087
0.059 BSC
0.188 BSC
0.161
0.038
MAX.
0.063
0.022
0.019
0.017
0.181
0.072
0.102
0.090
0.059 BSC
0.188 BSC
0.167
0.047
e
e1
BOTTOM
#3
#2
#1
E1
E
A
C
D
D1
L
H
B1
B
#3
#2
#1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-531P8-BLK | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-531P8-TR1G | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-531P8-TR1G | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-531P8-BLKG | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-531P8-TR1 | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ATF-53189-TR1 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-53189-TR2 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Hi gh Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-531P8 | 制造商:Avago Technologies 功能描述:MOSFET RF POWERPAK |
| ATF-531P8-BLK | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-531P8-BLK | 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。