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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ATF-53189-BLK |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封裝： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 144K |
| 代理商： | ATF-53189-BLK |
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4
Gamma Load and Source at Optimum OIP3 Tuning Conditions
The device’s optimum OIP3 measurements were determined using a Maury Load Pull System at 4.0V, 135 mA quiesent
bias.
Typical Gammas at Optimum OIP3[1]
Freq
Gamma Source
Gamma Load
OIP3
Gain
P1dB
PAE
(GHz)
Mag
Ang (deg)
Mag
Ang (deg)
(dBm)
(dB)
(dBm)
(%)
0.9
0.8179
-143.28
0.0721
124.08
42.0
17.2
21.7
33.8
2.0
0.7411
-112.36
0.4080
119.91
41.6
15.6
23.4
44.2
3.9
0.6875
-94.23
0.4478
174.74
41.3
11.2
23.1
41.4
5.8
0.5204
-75.91
0.3525
-120.13
36.9
5.6
22.4
25.7
Note:
1. Typical describes additional product performance information that is not covered by the product warranty.
Figure 6. Typical IV Curve.
Vds (V)
Ids
(mA)
07
1
2
3
4
5
6
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0.5V
0.6V
0.7V
0.8V
0.9V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-531P8-BLK | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-531P8-TR1G | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-531P8-TR1G | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-531P8-BLKG | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-531P8-TR1 | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ATF-53189-TR1 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-53189-TR2 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Hi gh Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-531P8 | 制造商:Avago Technologies 功能描述:MOSFET RF POWERPAK |
| ATF-531P8-BLK | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-531P8-BLK | 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor |
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