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參數(shù)資料
| 型號： | ATF-521P8-TR1G |
| 廠商： | AGILENT TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| 封裝： | 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, LPCC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 17/24頁 |
| 文件大小： | 248K |
| 代理商： | ATF-521P8-TR1G |
www.agilent.com/semiconductors
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Data subject to change.
Copyright 2003 Agilent Technologies, Inc.
Obsoletes 5988-8403
July 29, 2003
5988-9974EN
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-521P8-BLKG | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-521P8-TR2 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-521P8-TR1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-521P8-BLK | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-53189-TR1 | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ATF-521P8-TR2 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| ATF524S16M | 制造商:n/a 功能描述:Inverter Semiconductor |
| ATF-53189 | 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in SOT 89 Package |
| ATF-53189-BLK | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-53189-TR1 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
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