參數(shù)資料
型號(hào)： ATF-501P8-TR2G
廠商： AGILENT TECHNOLOGIES INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
封裝： 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, LEAD FREE, LPCC-8
文件頁(yè)數(shù)： 2/22頁(yè)
文件大小： 184K
代理商： ATF-501P8-TR2G
10
Figure 50. P1dB vs. Ids and Vds at 2 GHz.
Ids (mA)
P1dB
(dBm)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
35
30
25
20
15
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 51. P1dB vs. Ids and Vds at 900 MHz.
Ids (mA)
P1dB
(dBm)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
35
30
25
20
15
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 52. Gain vs. Ids and Vds at 2 GHz.
Ids (mA)
GAIN
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
25
20
15
10
5
0
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 53. Gain vs. Ids and Vds at 900 MHz.
Ids (mA)
GAIN
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
30
25
20
15
10
5
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 54. PAE vs. Ids and Vds at 2 GHz.
Ids (mA)
PAE
(%)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
60
50
40
30
20
10
0
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 55. PAE vs. Ids and Vds at 900 MHz.
Ids (mA)
PAE
(%)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
80
60
40
20
0
4.5V
5.5V
3.5V
ATF-501P8 Typical Performance Curves, continued (at 25
°C unless specified otherwise)
Tuned for Optimal P1dB at 4.5V 400 mA
Note:
Bias current (Ids) for the above charts are
quiescent conditions. Actual level may increase
or decrease depending on amount of RF drive.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ATF-501P8-TR2 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
ATF-501P8-BLK S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
ATF-501P8-TR2 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
ATF-501P8-BLK L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
ATF-501P8-TR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ATF-511P8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Single Voltage E-pHEMT Low Noise +41.7 dBm OIP3 in LPCC
ATF-511P8-BLK 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
ATF-511P8-BLK 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor
ATF-511P8-TR1 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
ATF-511P8-TR2 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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