參數(shù)資料
型號(hào)： ATF-501P8-TR2G
廠商： AGILENT TECHNOLOGIES INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
封裝： 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, LEAD FREE, LPCC-8
文件頁數(shù)： 15/22頁
文件大?。?/td> 184K
代理商： ATF-501P8-TR2G
Tape Dimensions
P0
P
F
W
D1
E
P2
A0
10
° Max
t1
K0
DESCRIPTION
SYMBOL
SIZE (mm)
SIZE (inches)
LENGTH
WIDTH
DEPTH
PITCH
BOTTOM HOLE DIAMETER
A0
B0
K0
P
D1
2.30
± 0.05
2.30
± 0.05
1.00
± 0.05
4.00
± 0.10
1.00 + 0.25
0.091
± 0.004
0.091
± 0.004
0.039
± 0.002
0.157
± 0.004
0.039 + 0.002
CAVITY
DIAMETER
PITCH
POSITION
D
P0
E
1.50
± 0.10
4.00
± 0.10
1.75
± 0.10
0.060
± 0.004
0.157
± 0.004
0.069
± 0.004
PERFORATION
WIDTH
THICKNESS
W
t1
8.00 + 0.30
0.254
± 0.02
0.315
± 0.012
8.00 – 0.10
0.315
± 0.004
0.010
± 0.0008
CARRIER TAPE
CAVITY TO PERFORATION
(WIDTH DIRECTION)
CAVITY TO PERFORATION
(LENGTH DIRECTION)
F
P2
3.50
± 0.05
2.00
± 0.05
0.138
± 0.002
0.079
± 0.002
DISTANCE
WIDTH
TAPE THICKNESS
C
Tt
5.4
± 0.10
0.062
± 0.001
0.205
± 0.004
0.0025
± 0.0004
COVER TAPE
D
++
Tt
10
° Max
B0
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Data subject to change.
Copyright 2004 Agilent Technologies, Inc.
August 24, 2004
5988-9767EN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ATF-501P8-TR2 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
ATF-501P8-BLK S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
ATF-501P8-TR2 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
ATF-501P8-BLK L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
ATF-501P8-TR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
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參數(shù)描述
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ATF-511P8-BLK 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
ATF-511P8-BLK 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor
ATF-511P8-TR1 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
ATF-511P8-TR2 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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